Paggalugad sa mga Teknolohiya at Inobasyon ng Solar Photovoltaic Cell

Ang Prinsipyo ng mga Solar Photovoltaic Cell

1. **Pagsipsip at Pagpapadala ng Photon:** Kapag nalantad sa liwanag, ang mga photon na may enerhiyang mas mababa sa lapad ng bandgap ay hindi nasisipsip at hindi dumadaan sa solar cell.
2. **Pagkawala ng Enerhiya sa mga Photon na May Mataas na Enerhiya:** Ang mga photon na may enerhiyang mas malaki kaysa sa bandgap ay lumilikha ng mga pares ng electron-hole, na nagiging sanhi ng ilang pagkawala ng enerhiya.
3. **Paghihiwalay at Paghahatid ng Karga:** May mga pagkalugi sa loob ng pn junction dahil sa paghihiwalay at transportasyon ng mga photogenerated charge carrier.
4. **Mga Pagkawala ng Rekombinasyon:** Sa panahon ng pagdadala ng mga photogenerated carrier, nangyayari ang mga pagkawala ng rekombinasyon.
5. **Pagbaba ng Boltahe:** Nakakaranas ng pagbaba ang output voltage, na humahantong sa mga contact voltage losses.

Pagbabawas ng Pagkawala ng Elektrisidad

1. Gumamit ng mataas na kalidad na silicon wafers na may mahusay na mala-kristal na istraktura.
2. Bumuo ng mga mainam na pamamaraan sa pagbuo ng pn junction.
3. Ipatupad ang mga pinakamainam na pamamaraan ng passivation.
4. Gumamit ng mahusay na mga teknolohiya sa pakikipag-ugnayan sa metal.
5. Gamitin ang mga makabagong teknolohiya sa front field at back field.

Pagbabawas ng Optical Loss

Upang mapahusay ang kahusayan ng selula sa pamamagitan ng pagliit ng mga optical losses, iba't ibang teorya at teknolohiya sa pag-trap ng liwanag ang nabuo, kabilang ang surface texturing upang mabawasan ang repleksyon, mga front surface anti-reflection coatings, rear surface reflective coatings, at mas maliliit na gridline shading areas.

TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact)

Ang mga solar cell ng TOPCon ay itinuturing na susunod na henerasyon pagkatapos ng teknolohiyang PERC. Kung ikukumpara sa iba pang mga umuusbong na teknolohiya tulad ng HJT at IBC, ang TOPCon ay maaaring i-upgrade mula sa mga umiiral na linya ng PERC o PERT na may mas mababang puhunan at maaaring makamit ang pagtaas ng kahusayan na humigit-kumulang 1%.

Kayarian ng mga TOPCon Solar Cell

Ang harapang bahagi ng mga TOPCon solar cell ay katulad ng mga kumbensyonal na N-type o N-PERT solar cell, na binubuo ng boron (p+) emitter, passivation layer, at anti-reflection coating. Ang pangunahing teknolohiya ay nasa likurang passivated contact, na binubuo ng isang ultra-thin silicon oxide layer (1-2 nm) at isang phosphorus-doped microcrystalline mixed silicon thin film. Para sa mga bifacial na aplikasyon, ang metallization ay nakakamit sa pamamagitan ng screen printing Ag o Ag-Al grids sa harap at Ag grids sa likod.

Kontak na Pinapasa ng Tunnel Oxide

Ang istrukturang TOPCon, na nakakamit ng mataas na conversion efficiency na 25.7%, ay binubuo ng isang manipis na tunnel oxide layer at isang phosphorus-doped polysilicon layer. Ang phosphorus-doped polysilicon layer ay maaaring mabuo sa pamamagitan ng pag-crystallize ng a-Si:H o pagdeposito ng polysilicon gamit ang LPCVD. Dahil dito, ang TOPCon ay isang promising candidate para sa high-efficiency solar cell technology.

Teknolohiya ng Heterojunction (HJT)

Pinagsasama ng teknolohiyang heterojunction (HJT) ang teknolohiyang crystalline silicon at amorphous silicon thin-film, na nakakamit ng kahusayan na 25% o mas mataas pa. Nahihigitan ng mga HJT cell ang kasalukuyang teknolohiyang PERC sa kahusayan at output ng kuryente.

Kayarian ng mga HJT Solar Cell

Gumagamit ang mga HJT cell ng monocrystalline silicon wafer bilang substrate. Ang harapang bahagi ng wafer ay sunod-sunod na idinedeposito ng intrinsic a-Si:H film at p-type a-Si:H film upang bumuo ng isang pn heterojunction. Ang likurang bahagi ay idinedeposito ng intrinsic at n-type a-Si:H film upang bumuo ng isang back surface field. Pagkatapos ay idinedeposito ang mga transparent conductive oxide film, na sinusundan ng mga metal electrode sa pamamagitan ng screen printing, na nagreresulta sa isang simetrikong istraktura.

Mga Bentahe ng HJT Solar Cells

- **Kakayahang umangkop at Pag-angkop:** Tinitiyak ng teknolohiyang HJT ang mahusay na kapasidad sa produksyon kahit sa matinding kondisyon ng panahon, na may mas mababang koepisyent ng temperatura kaysa sa mga tradisyunal na solar cell.
- **Kahabaan ng buhay:** Ang mga HJT solar cell ay maaaring gumana nang mahusay nang mahigit 30 taon.
- **Mas Mataas na Kahusayan:** Ang mga kasalukuyang HJT panel ay nakakamit ng kahusayan sa pagitan ng 19.9% ​​at 21.7%.
- **Pagtitipid sa Gastos:** Ang amorphous silicon na ginagamit sa mga HJT panel ay matipid, at ang pinasimpleng proseso ng paggawa ay ginagawang mas abot-kaya ang HJT.

Mga Perovskite Solar Cell

Unang nakamit ang 4% na kahusayan noong 2009, ang mga perovskite solar cell (PSC) ay umabot sa 25.5% na kahusayan pagsapit ng 2021, na umakit ng malaking interes sa akademya. Ang mabilis na pag-unlad ng mga PSC ay nagpoposisyon sa kanila bilang isang sumisikat na bituin sa photovoltaics.

Kayarian ng mga Perovskite Solar Cell

Ang mga advanced perovskite cell ay karaniwang binubuo ng limang bahagi: transparent conductive oxide, electron transport layer (ETL), perovskite, hole transport layer (HTL), at metal electrode. Ang pag-optimize sa mga antas ng enerhiya at interaksyon ng mga materyales na ito sa kanilang mga interface ay nananatiling isang kapana-panabik na larangan ng pananaliksik.

Kinabukasan ng mga Perovskite Solar Cell

Ang pananaliksik sa mga perovskite ay malamang na tututok sa pagbabawas ng recombination sa pamamagitan ng passivation at defect reduction, pagsasama ng 2D perovskite, at pag-optimize ng mga interface material. Ang pagpapabuti ng katatagan at pagbabawas ng epekto sa kapaligiran ay mga pangunahing larangan ng pag-aaral sa hinaharap.

Kontrol sa Kalidad sa Produksyon ng Solar Photovoltaic Cell

Nangibabaw ang mga crystalline silicon photovoltaic cell sa komersyal na merkado ng solar cell, na bumubuo sa mahigit 90% ng pandaigdigang benta. Ang kahusayan sa laboratoryo ay lumalagpas sa 25% para sa mga monocrystalline cell at 20% para sa mga polycrystalline cell, ngunit ang mga industrial module ay nakakamit ng 18%-22% sa ilalim ng mga karaniwang kondisyon ng pagsubok.

Pag-ukit at Pag-texture

Ang pinsala sa ibabaw ay natatanggal sa pamamagitan ng pag-ukit, at ang pag-texture ay lumilikha ng ibabaw na kumukuha ng liwanag, na binabawasan ang mga pagkawala ng repleksyon. Sinusubaybayan ng pagsukat ng repleksyon ang prosesong ito.

Pagsasabog at Paghihiwalay ng Gilid

Ang mga diffusion layer ay nabubuo sa mga silicon wafer upang lumikha ng mga pn junction. Isang passivation layer ang idinedeposito upang mapahusay ang thin-film solar cell efficiency, na minomonitor sa pamamagitan ng minority carrier lifetime, wafer thickness, at refractive index.

Anti-Reflective Coating

Isang anti-reflective coating ang inilalapat sa ibabaw ng silicon wafer upang mapabuti ang pagsipsip ng liwanag. Ginagamit ang PECVD upang magdeposito ng manipis na pelikula na nagsisilbi ring passivation layer. Ang transmittance at sheet resistance uniformity ay mga pangunahing parameter ng pagsukat.

Paggawa ng Elektrod

Ang mga gridline electrode ay naka-screen print sa harap, at ang mga field at back electrode sa likod ay naka-print sa likuran. Ang pagkontrol sa temperatura, katumpakan ng punto, at gridline aspect ratio ay mga kritikal na tagapagpahiwatig ng pagsubaybay habang nagpapatuyo at nagsasalin.

Kung interesado kang matuto nang higit pa tungkol sa aming mga iniaalok na solar energy storage, hinihikayat ka naming tuklasin ang aming linya ng produkto. Nag-aalok kami ng iba't ibang panel at baterya na idinisenyo para sa iba't ibang aplikasyon at badyet, kaya siguradong makikita mo ang tamang solusyon para sa iyong mga pangangailangan.

 

Website:www.fgreenpv.com

I-email:[email protected]

WhatsApp:+86 17311228539